應用領域
  • 第二代半導體相關: 光通訊, 砷化鎵射頻器件工序 (DFB, VCSEL, GaAs RF Device wafer, HBT, P-HEMT…etc.)
  • 第三代半導體相關: 氮化鎵射頻, 氮化鎵功率, 碳化硅功率器件晶片 (GaN RF Device Wafer, GaN Power Device Wafer, SiC Power Device Wafer)
產品用途

超薄片支撐製程, 研磨後晶背支撐後的熱分離(Debonding after Thin Wafer handling, Thin Wafer supporting)

產品特色
  • 適用於2"-8”晶圓, 不限尺寸, 襯底及承載盤材質( 2"-8"device wafer…suitable for multi wafer, carrier and material.)
  • 高溫分離設計適用於多種貼合材料, 包含各種天然樹脂與人造樹脂. 液態蠟與膠水等等（High temperature debonding unit for different bonding material, including liquid wax, epoxy and glue.)
  • 破片率< 1/3000pcs
回上層