半導體領域的最佳夥伴

研發技術團隊 具備20年以上
半導體制程經驗

新睿精密成立於2018年,多年來專精於研發晶圓貼合及分離設備Wafer Bonding & Wafer De-bonding,晶圓尺寸為2吋-12吋,產品應用覆蓋半導體全領域,是臨時貼合、永久貼合整體方案的提供者。

業界20年以上先進半導體制程設備開發經驗,擁有專利成果十余項,能夠不斷適應市場需求開發新產品。

研發人才

研發團隊為原臺灣積體電路相關企業核心成員,具20年以上資深半導體相關開發經驗。

專業服務

秉持貼近客戶深度了解開發需求,回覆快速,提供優質服務。

價格優勢

設備由本公司完全自主開發,採用80%以上的國產元件,減少進口時間及費用,整體價格可降低30%以上。

卓越技術

俱備業界一流的設備性能,市場含蓋MENS、IGBT、Advanced packaging、Optical…等半導體相關產業

專利認證

核心技術

新睿為您創造無限可能

核心技術

新睿為您創造無限可能

客製尺寸廣泛

業界領先實現唯一 ,目前已經完成晶圓2~12吋客製化設備提供

傳輸技術超前

高度自動化,可將EAP資料透過SECS/GEM完成傳輸

多元材料組合

設備涵蓋 複合半導體、MENS、IGBT、高級封裝、光學…因應製程的不同,設備可搭配臨時貼合材料(膠與蠟)及永久性貼合膠

高規輸出技術

鍵合後 TTV<3um,200X No Micro Bubble。臨時鍵合精度可達±50um,永久鍵合精度可達<2um。

產品中心

提供多元半導體研發及應用設備,
歡迎洽詢訂製

臨時貼合設備Temporary Bonding
臨時貼合設備Temporary Bonding
永久貼合設備Indirect permanent Bonding
臨時貼合設備Temporary Bonding
半自動貼合機:2~8吋
產品特色
  • 適用於2-8, 磷化銦, 砷化鎵, 氮化鎵, 碳化硅等, 不限尺寸及襯底材質
  • 設計適用於多種貼合材料熱滑移, 包含各種天然樹脂與人造樹脂. 液態蠟與膠水等等
  • 破片率< 1/3000pcs
產品用途
超薄片支撐工藝,研磨後晶背支撐製程
應用領域
  • 第二代半導體相關:光通訊, 砷化鎵射頻器件工序
  • 第三代半導體相關:氮化鎵射頻, 氮化鎵功率, 碳化矽功率器件晶片
臨時貼合設備Temporary Bonding
全自動貼合機:2~8吋
產品特色
  • 適用於2-8, 磷化銦, 砷化鎵, 氮化鎵, 碳化硅等, 不限尺寸及襯底材質
  • 高溫分離設計適用於多種貼合材料, 包含各種天然樹脂與人造樹脂. 液態蠟與膠水等等
  • 減少薄片經由人工傳送的破片風險
產品用途
超薄片支撐工藝,研磨後晶背支撐製程
應用領域
  • 第二代半導體相關:光通訊, 砷化鎵射頻器件工序
  • 第三代半導體相關:氮化鎵射頻, 氮化鎵功率, 碳化矽功率器件晶片
  • IGBT, MEMS晶背製程支撐
永久貼合設備Indirect permanent Bonding
全自動貼合機:8~12吋
產品特色
  • 適用於8-12晶圓,不限尺寸,襯底及承載盤材質
  • 高溫貼合設計適用於多種貼合材料,包含各種天然樹脂與人造樹脂、液態蠟與膠水等等
  • 良好的貼合TTV, 3um,對位精度最高可達到<0.5um< 1/3000pcs
產品用途
超薄片支撐工藝,研磨後晶背支撐製程
應用領域
  • 2.5D/3D IC /TSV|Wafer Fan Out級封裝功率器件 (Power device)|5G application
  • RF Module|晶圓減薄|IGBT
諮詢標準機客製化調整